Tatăl omului de ştiinţă, Valentin Falub, scriitor din Beclean, a declarat, miercuri, că este foarte mândru de performanţa fiului său care a creat dezbateri la nivel internaţional.
“Descoperirea echipei coordonate de fiul meu a stârnit multe dezbateri la nivel internaţional. Sunt foarte mândru de el”, a declarat Valentin Falub, care a transmis şi o sinteză a articolului „Scaling Hetero-Epitaxy from Layers to Three-Dimensional Crystals” (“Extinderea Heteroepitaxiei de la straturi subţiri la cristale tridimensionale”), realizată chiar de fiul său.
Potrivit sursei citate, articolul prezintă o metodă prin care materiale semiconductoare folosite în electronică, telecomunicaţii şi industria calculatoarelor, cum ar fi germaniul sau galiu-arseniul, pot fi obţinute în stare perfectă atunci când sunt crescute pe nişte piloni foarte subţiri, de aproximativ o sută de ori mai subţiri decât firul de păr, ce sunt gravaţi în substratele de siliciu.
În felul acesta, în locul straturilor semiconductoare cu performanţe electronice deteriorate din cauza multor defecte şi fisuri, folosite până în prezent în industrie, se vor putea folosi substrate ieftine de siliciu acoperite complet cu cristale perfecte a caror performanţe sunt mult îmbunătăţite.
Aceste cristale semiconductoare, deşi se apropie foarte mult unele de altele, nu se ating. Acest lucru permite ca variaţiile de temperatură (de ordinul sutelor de grade Celsius), prezente in dispozitivele electronice, să nu afecteze performanţele acestor cristale, la fel cum, de exemplu, şinele de tren nu se curbează de la vară la iarnă din cauza spaţiului dintre acestea.
Se aşteaptă ca această descoperire să aibe un impact foarte mare, în mod special la aplicaţiile unde se necesită filme semiconductoare cu grosimi de zeci de micrometri, grosimi ce nu s-au putut obţine niciodată până acum. De exemplu, celulele fotovoltaice cu randament ridicat de conversie a energiei solare, detectoarele de radiaţii X de înaltă rezoluţie pentru medicină, detectoarele de particule elementare folosite în fizica nucleară, sau dispozitivele electronice de putere, vor putea fi construite direct pe substrate ieftine şi abundente de siliciu.
Dr. Claudiu V. Falub, născut în Beclean, în Bistriţa-Năsăud, şi absolvent al Facultăţii de Fizică a Universităţii “Babeş-Bolyai” Cluj-Napoca, promoţia 1995, a obţinut un masterat la Institutul Politehnic Federal din Lausanne (EPFL, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne), Elveţia, în 1996 şi titlul de doctor la Universitatea de Tehnologie din Delft (TU-Delft, Technische Universiteit Delft), Olanda, în 2002.
După doctorat, a lucrat ca şi cercetător postdoctoral, colaborator ştiinţific şi cercetător asociat la importante instituţii ştiinţifice din Elveţia: Institutul Paul Scherrer (PSI, Paul Scherrer Institut, 2002-2005), EPFL (2005-2007) şi Empa (Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt, 2007-2010). Din 2010, este cercetător principal al Institutului Politehnic Federal de Tehnologie din Zürich (ETHZ, Eidgenössische Technische Hochschule Zurich), Elveţia, de numele căruia sunt legaţi 21 de laureaţi ai premiului Nobel, printre care Albert Einstein şi Wolfgang Pauli.
« Science » este o revistă americană de ştiinţă înfiinţată în anul 1880 de către americanul Thomas Edison, inventatorul fonografului, al aparatului de filmat şi al becurilor de iluminat. Este considerată cea mai prestigioasă revistă ştiinţifică din lume. În “Science” se publică cele mai importante descoperiri ale umanitaţii din diverse domenii ale ştiinţei, cum ar fi medicina, biologia, chimia, fizica, robotica, inteligenţa artificială, informatica, astronomia, astrofizica, etc. Articolele publicate aici au un impact mare asupra societaţii şi tocmai de aceea concurenţa de a publica aici este acerbă. Anual, peste 11.000 de articole ajung la “Science”, din care doar 800 văd lumina tiparului.
Ultima dată când un articol de fizică a fost prezentat pe coperta revistei “Science” (numărul din 12 August 2011), acesta a aparţinut lui Konstantin Novoselov, de la Universitatea din Manchester, Marea Britanie, laureatul Premiului Nobel pentru Fizică din 2010 pentru descoperirea grafenului, o variantă bidimensională a grafitului.
Adaugă comentariu